Warning Cookies are used on this site to provide the best user experience. If you continue, we assume that you agree to receive cookies from this site. OK

Оперативная память Silicon Power DDR4 SP016GBSVU560F02, RTL

SP016GBSVU560F02
In stock
10 days
6 854.00 
+

Minimum quantity for "Оперативная память Silicon Power DDR4 SP016GBSVU560F02, RTL " is 1.

Delivery
Payment options
Our advantages
  • — 12 months warranty
  • — SMS notification
  • — Return and exchange
  • — Different payment methods
  • — Best price
Shipping time and rates:
Размеры нетто: 69.6 × 30 × 3 мм
Размеры упаковки: 1.8 × 0.7 × 0.1 см (меньше 0.01 л )
Вес брутто: 0.035 кг
Оценочные параметры для логистики: Объём: 0.00 л (0.0 м³) Вес: 0.035 кг / объёмный вес (л/ 5): 0.000 кг
Основной цвет изделия: Черный
Объём памяти: 1 × 16 ГБ
Частота: 5600 МГц
Тип памяти: DDR5
Форм-фактор оперативной памяти: SO-DIMM 262-pin
Поддерживаемый метод контроля ошибок: On-Die ECC
Тип комплектации: RTL
Стандарт памяти: PC5-44800 (5600 МГц)
Поддерживаемая буферизация памяти: Unbuffered
Напряжение питания: 1.1 В
Высота модуля памяти: 30,0 мм
tCL (задержка сигнала CAS#): 46 тактов
tRCD (задержка между RAS# и CAS#): 46 тактов
tRP (время подзарядки строки): 46 тактов

Оперативная память Silicon Power (SP016GBSVU560F02) относится к типу памяти DDR5 и обладает емкостью 16 Гб. Предельная частота работы модуля достигает 5600 МГц, а пропускная способность составляет 44800 Мб/с, что позволяет работать быстрее, а также обеспечивает одновременно многозадачность и исключительную быстроту отклика процессора. Память превосходит своего предшественника в энергоэффективности благодаря регулированию напряжения. Микросхемы управления питанием (PMIC) снижают нагрузку на материнскую плату и обеспечивают более низкое напряжение 1,1 В. Максимальная емкость чипа была удвоена в модулях памяти DDR5 SODIMM благодаря большему количеству и более плотному размещению банков памяти, что позволяет одновременно держать открытыми больше страниц в браузере и таким образом повышать продуктивность, не беспокоясь о замедлении работы системы из-за слишком большого количества рабочих вкладок. Этот модуль поддерживает On-Die ECC (код исправления ошибок) – новую функцию, которая была разработана для исправления битовых ошибок в реальном времени в микросхемах памяти. С этой технологией обеспечивается автоматическое исправление ошибок данных и повышается общая надежность и стабильность работы системы.

tCL (задержка сигнала CAS#):
46 тактов
tRCD (задержка между RAS# и CAS#):
46 тактов
tRP (время подзарядки строки):
46 тактов
Бренд:
Silicon Power
Вес брутто:
0.035 кг
Высота модуля памяти:
30,0 мм
Напряжение питания:
1.1 В
Объём памяти:
1 × 16 ГБ
Основной цвет изделия:
Черный
Оценочные параметры для логистики:
Объём: 0.00 л (0.0 м³) Вес: 0.035 кг / объёмный вес (л/ 5): 0.000 кг
Поддерживаемая буферизация памяти:
Unbuffered
Поддерживаемый метод контроля ошибок:
On-Die ECC
Размеры нетто:
69.6 × 30 × 3 мм
Размеры упаковки:
1.8 × 0.7 × 0.1 см (меньше 0.01 л )
Стандарт памяти:
PC5-44800 (5600 МГц)
Тип комплектации:
RTL
Тип памяти:
DDR5
Форм-фактор оперативной памяти:
SO-DIMM 262-pin
Частота:
5600 МГц

No reviews found

Fast and high quality delivery

Our company makes delivery all over the country

Quality assurance and service

We offer only those goods, in which quality we are sure

Returns within 30 days

You have 30 days to test your purchase