Warning Cookies are used on this site to provide the best user experience. If you continue, we assume that you agree to receive cookies from this site. OK

Оперативная память

28 104.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)40 тактов tRAS (время активности строки)76 тактов tRCD (задержка между RAS# и CAS#)40 тактов tRP (время подзарядки строки)40 тактов БрендSilicon Power
12 138.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)38 тактов Оценочные параметры для логистикиОбъём: 0.00 л (0.0 м³) Вес: 0.035 кг / объёмный вес (л/ 5): 0.000 кг Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR5 Тип комплектацииRTL
11 636.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)40 тактов Оценочные параметры для логистикиОбъём: 0.13 л (0.0001 м³) Вес: 0.035 кг / объёмный вес (л/ 5): 0.025 кг Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR5 Тип комплектацииRTL
13 510.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)40 тактов Оценочные параметры для логистикиОбъём: 0.13 л (0.0001 м³) Вес: 0.035 кг / объёмный вес (л/ 5): 0.025 кг Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR5 Тип комплектацииRTL
13 707.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)40 тактов Оценочные параметры для логистикиОбъём: 0.13 л (0.0001 м³) Вес: 0.035 кг / объёмный вес (л/ 5): 0.025 кг Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR5 Тип комплектацииRTL
13 806.00 
БрендSilicon Power Объём памяти1 × 32 ГБ Тип памятиDDR5 Частота6000 МГц
13 806.00 
БрендSilicon Power Объём памяти1 × 0
14 299.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)30 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR5 Тип комплектацииRTL
6 114.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)42 такта Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR5 Тип комплектацииRTL
6 114.00 
БрендSilicon Power Объём памяти1 × 0
10 749.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)46 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR5 Тип комплектацииRTL
1 825.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)22 такта Оценочные параметры для логистикиОбъём: 0.12 л (0.0001 м³) Вес: 0.025 кг Форм-фактор оперативной памятиSO-DIMM 260-pins Тип памятиDDR4 Температураupto 85°C (в работе)
3 748.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)22 такта Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиSO-DIMM 260-pins Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL
7 593.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)19 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиSO-DIMM 260-pins Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL
9 664.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)40 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиSO-DIMM 262-pin Тип памятиDDR5 Тип комплектацииRTL
55 894.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)17 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиSO-DIMM 260-pins Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL
58 584.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)19 тактов tRCD (задержка между RAS# и CAS#)19 тактов tRP (время подзарядки строки)19 тактов БрендSynology Вес брутто0.02 кг
49 076.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)19 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиSO-DIMM 260-pins Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL
24 778.00 
tCL (задержка сигнала CAS#)16 тактов Поддерживаемый метод контроля ошибокECC Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL