Электроника :: Комплектующие

Оперативная память Samsung Laptop DDR4 3200МГц 32GB, M471A4G43BB1-CWE

8 331.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)22 такта tRCD (задержка между RAS# и CAS#)22 такта tRP (время подзарядки строки)22 такта БрендSamsung Напряжение питания1.2 В

Оперативная память Samsung Laptop DDR4 3200МГц 8GB, M471A1G44CB0-CWE, RTL

2 224.00 ₽

БрендSamsung Вес брутто0.01 кг Вес нетто8 г Высота модуля памяти30,0 мм Напряжение питания1.2 В

Оперативная память Samsung Laptop DDR4 3200МГц 8GB, M471A1G44CB0-CWED0

2 224.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)22 такта tRCD (задержка между RAS# и CAS#)22 такта tRP (время подзарядки строки)22 такта БрендSamsung Вес брутто0.02 кг

Оперативная память Samsung Laptop DDR5 4800МГц 32GB, M425R4GA3BB0-CQK

11 109.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)40 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиSO-DIMM 262-pin Тип памятиDDR5 Тип комплектацииOEM

Оперативная память Samsung Laptop DDR5 4800МГц 8GB, M425R1GB4BB0-CQK, RTL

2 884.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)40 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиSO-DIMM 262-pin Тип памятиDDR5 Тип комплектацииRTL

Оперативная память Samsung Original DDR4 3200МГц 32GB, M393A4G43AB3-CWE

12 304.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)22 такта Поддерживаемая буферизация памятиRegistered Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR4 Тип комплектацииOEM

Оперативная память Samsung Original DDR4 3200МГц 32GB, M393A4G43AB3-CWEBY, RTL

11 618.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)22 такта Поддерживаемая буферизация памятиRegistered Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL

Оперативная память Silicon Power DDR3L 4GB, SP004GLLTU160N02, RTL

780.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)11 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиDIMM 240-pin Тип памятиDDR3L Тип комплектацииRTL

Оперативная память Silicon Power DDR4 16GB, SP016GXLZU360BSA, RTL

4 537.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)18 тактов Оценочные параметры для логистикиОбъём: 0.15 л (0.0001 м³) Вес: 0.030 кг Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL

Оперативная память Silicon Power DDR4 2x16GB, SP032GXLZU360BDA

8 974.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)18 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL/Kit of 2

Оперативная память Silicon Power DDR4 2x8GB, SP016GXLZU320BDA

4 339.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)16 тактов Оценочные параметры для логистикиОбъём: 0.37 л (0.0004 м³) Вес: 0.035 кг / объёмный вес (л/ 5): 0.075 кг Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL/Kit of 2

Оперативная память Silicon Power DDR4 2x8GB, SP016GXLZU360BDA

5 030.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)18 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL/Kit of 2

Оперативная память Silicon Power DDR4 2x8GB, SP016GXLZU360BDB

5 424.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)18 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL/Kit of 2

Оперативная память Silicon Power DDR4 8GB, SP008GXLZU360BSA, RTL

2 515.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)18 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL

Оперативная память Silicon Power DDR4 SP004GBSFU266N02, RTL

1 085.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)19 тактов Поддерживаемый метод контроля ошибокnon-ECC Форм-фактор оперативной памятиSO-DIMM 260-pins Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL

Оперативная память Silicon Power DDR4 SP008GBLFU266X02, RTL

1 775.00 ₽

БрендSilicon Power Объём памяти1 × 0

Оперативная память Silicon Power DDR4 SP008GBSFU266B02, RTL

1 825.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)19 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиSO-DIMM 260-pins Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL

Оперативная память Silicon Power DDR4 SP016GBSFU266B02, RTL

3 600.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)19 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиSO-DIMM 260-pins Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL

Оперативная память Silicon Power DDR4 SP016GBSFU266F02, RTL

3 649.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)19 тактов Оценочные параметры для логистикиОбъём: 0.17 л (0.0002 м³) Вес: 0.035 кг Форм-фактор оперативной памятиSO-DIMM 260-pins Тип памятиDDR4 Тип комплектацииRTL

Оперативная память Silicon Power DDR4 SP016GBSVU560F02, RTL

6 854.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)46 тактов Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered Форм-фактор оперативной памятиSO-DIMM 262-pin Тип памятиDDR5 Тип комплектацииRTL

Оперативная память Silicon Power DDR4 SP032GBLFU266F02, RTL

7 593.00 ₽

БрендSilicon Power Объём памяти1 × 0 Тип памятиDDR4

Оперативная память Silicon Power DDR4 SP032GBLFU320F02, RTL

7 593.00 ₽

БрендSilicon Power Объём памяти1 × 0

Оперативная память Silicon Power DDR5 16GB, SP016GXLWU560FSF, RTL

7 593.00 ₽

tCL (задержка сигнала CAS#)40 тактов tRAS (время активности строки)76 тактов tRCD (задержка между RAS# и CAS#)40 тактов tRP (время подзарядки строки)40 тактов БрендSilicon Power

Оперативная память Silicon Power DDR5 16GB, SP016GXLWU560FSG, RTL

7 396.00 ₽

БрендSilicon Power Объём памяти1 × 16 ГБ Тип памятиDDR5 Форм-фактор оперативной памятиDIMM 288-pin Частота5600 МГц